Nat Commun:一种用于场效应晶体管的硅衬底上制备厘米级黑磷晶体多层的清洁转移方法
Nanoyu Nanoyu 2024-08-10

最近有报道称,通过脉冲激光沉积(PLD)在云母基底上直接生长高度结晶的厘米级黑磷(BP)薄膜,引起了广泛的研究兴趣。然而,仍然缺少一种有效且通用的转移方法将它们整合到(光)电子器件中。

在这里,香港理工大学Jianhua Hao展示了一种湿转移法,利用乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)和乙二醇(EG)溶液将高结晶大面积PLD-BP薄膜转移到SiO2/Si基底上。

文章要点

1转移膜用于制造基于BP的底栅场效应晶体管(FET)阵列,该阵列表现出良好的均匀性和连续性,载流子迁移率和电流切换比与在云母基底上生长的BP膜中获得的相当。

工作提出了一种有前途的转移策略,用于将在基底上生长的2D BP可扩展地集成到具有更复杂结构的器件中,并进一步研究材料特性。

 

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Zhao, Y., Mao, J., Wu, Z. et al. A clean transfer approach to prepare centimetre-scale black phosphorus crystalline multilayers on silicon substrates for field-effect transistors. Nat Commun 15, 6795 (2024).

DOI:10.1038/s41467-024-51140-z

https://doi.org/10.1038/s41467-024-51140-z


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