随着钙钛矿光伏迈向商业化，必须与照明电池电流匹配的遮光电池中的反向偏压退化是一个严峻的挑战。之前的研究强调了碘化物和银氧化的作用，以及从电子传输层到钙钛矿中的空穴隧穿的作用，以使电流在反向偏压下流动，从而导致退化。鉴于此，来自华盛顿大学的David S. Ginger等人表明器件架构工程对钙钛矿太阳能电池的反向偏压行为有重大影响。

文章要点：

1) 该研究通过实施约35 nm厚的共轭聚合物空穴传输层和电化学更稳定的背电极，成功证实了平均击穿电压超过-15 V，与硅电池的击穿电压相当；

2) 此外，该研究还发现，提高击穿电压的策略减少了保护部分遮蔽的太阳能模块所需的旁路二极管的数量，这已被证实是硅太阳能电池板的有效策略。

参考资料：

Jiang, F., Shi, Y., Rana, T.R. et al. Improved reverse bias stability in p–i–n perovskite solar cells with optimized hole transport materials and less reactive electrodes. Nat Energy (2024).

10.1038/s41560-024-01600-z

https://doi.org/10.1038/s41560-024-01600-z