AEM:多相相干纳米界面网络提高了GeTe中高效能量转换和非接触式热补偿应用的热电性能
NavyLIu NavyLIu 2024-07-21

image.png反掺杂是优化GeTe中过高载流子浓度的一种有效策略,但它会损害载流子输运并降低迁移率,从而限制了提高ZT的潜力。近日,四川大学昂然、Sun Qiang提出了一种克服该挑战的新方法,即在Cu2Te合金(Ge0.84Cd0.06Pb0.10Te)中实现了赝立方GeTeCu2TePbTe相之间的多相相干纳米界面网络,并且具有有效的Cu离子离域。

 

本文要点:

1) 这种设计选择性调控电荷载流子和声子输运,导致迁移率增加和载流子浓度优化,从而有助于提高功率因数,即在653 K下具有≈0.33 W m−1 K−1的超低晶格热导率。因此,在(Ge0.84Cd0.06Pb0.10Te0.99Cu2Te0.01中,803 K下的峰值ZT2.22303803 K的平均ZT1.40

2) 在制造的7对热电模块中,作者在400 K的温差下实现了≈1.47 W cm−2的高功率密度。此外,作者组装了一个热电能量收集阵列装置,并展示了其在激光非辐射能量收集和非接触式热补偿中的应用潜力。

 

参考电竞投注官网 :

Jianglong Zhu et.al Multiphase Coherent Nanointerface Network Enhances Thermoelectric Performance for Efficient Energy Conversion and Contactless Thermosensation Applications in GeTe Adv. Energy Mater. 2024

DOI: 10.1002/aenm.202402552

https://doi.org/10.1002/aenm.202402552


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