铁基1111型超导体具有较高的临界温度和相对较高的临界电流密度Jc,增加Jc的方法是引入缺陷来控制耗散涡流运动。然而,这种方法仅限于实现Jd约30%的最大Jc,这取决于相干长度和穿透深度。近日,洛斯·阿拉莫斯国家试验室Masashi Miura使用旨在增加Jd和引入涡流钉扎中心的热力学方法显著提高了SmFeAsO1-xHx薄膜中的Jc。
本文要点:
1) 作者通过使用H替代的高电子掺杂来增加载流子密度,从而减小穿透深度、相干长度和临界场各向异性。此外,四倍增加的Jd达到了415 MA cm-2,并且与铜酸盐相当。
2) 最后,通过使用质子辐照引入缺陷,作者在高达25 T的场中获得了高Jc值。此外,作者将这种方法应用于其他铁基超导体,并实现了类似的电流密度增强。
Masashi Miura et.al Quadrupling the depairing current density in the iron-based superconductor SmFeAsO1–xHx Nature Materials 2024
DOI: 10.1038/s41563-024-01952-7
https://doi.org/10.1038/s41563-024-01952-7