铁基1111型超导体具有较高的临界温度和相对较高的临界电流密度J_c，增加J_c的方法是引入缺陷来控制耗散涡流运动。然而，这种方法仅限于实现J_d约30%的最大J_c，这取决于相干长度和穿透深度。近日，洛斯·阿拉莫斯国家试验室Masashi Miura使用旨在增加J_d和引入涡流钉扎中心的热力学方法显著提高了SmFeAsO_1-xH_x薄膜中的J_c。

本文要点：

1) 作者通过使用H替代的高电子掺杂来增加载流子密度，从而减小穿透深度、相干长度和临界场各向异性。此外，四倍增加的J_d达到了415 MA cm^-2，并且与铜酸盐相当。

2) 最后，通过使用质子辐照引入缺陷，作者在高达25 T的场中获得了高J_c值。此外，作者将这种方法应用于其他铁基超导体，并实现了类似的电流密度增强。

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Masashi Miura et.al Quadrupling the depairing current density in the iron-based superconductor SmFeAsO1–xHx Nature Materials 2024

DOI: 10.1038/s41563-024-01952-7

https://doi.org/10.1038/s41563-024-01952-7