一维金属过渡金属硫化物纳米线能够作为具有前景的互联器件（interconnecting device），但是目前人们难以得到很好的各项同向生长。

有鉴于此，南方科技大学林君浩、朱亮等通过石墨作为限域组装层，通过外部刺激，在二维MoTe₂得到高度取向的Mo₆Te₆纳米线。

本文要点

通过扫描透射电子显微镜和原位电化学偏置技术研究原子结构变化，原子分辨率的高角暗场STEM成像表征说明MoTe₂只有沿着特定方向才能够转化为Mo₆Te₆纳米线，通过第一性原理计算，说明石墨-MoTe₂异质结附近的电化学偏置以及石墨产生的限域作用产生局部Joule加热，从而产生定向生长。

通过这种策略构筑了限域在石墨内部的纳米线，并且作为2H-MoTe₂晶体管电路的电极，实现了仅为11.5 meV的Schottky能垒，43.7 Ω的接触电阻。这项工作说明制备取向纳米线的前景。

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Yang, Q., Wang, YP., Shi, XL. et al. Constrained patterning of orientated metal chalcogenide nanowdires and their growth mechanism. Nat Commun 15, 6074 (2024).

DOI: 10.1038/s41467-024-50525-4

https://www.nature.com/articles/s41467-024-50525-4