一维金属过渡金属硫化物纳米线能够作为具有前景的互联器件(interconnecting device),但是目前人们难以得到很好的各项同向生长。
有鉴于此,南方科技大学林君浩、朱亮等通过石墨作为限域组装层,通过外部刺激,在二维MoTe2得到高度取向的Mo6Te6纳米线。
本文要点
通过扫描透射电子显微镜和原位电化学偏置技术研究原子结构变化,原子分辨率的高角暗场STEM成像表征说明MoTe2只有沿着特定方向才能够转化为Mo6Te6纳米线,通过第一性原理计算,说明石墨-MoTe2异质结附近的电化学偏置以及石墨产生的限域作用产生局部Joule加热,从而产生定向生长。
通过这种策略构筑了限域在石墨内部的纳米线,并且作为2H-MoTe2晶体管电路的电极,实现了仅为11.5 meV的Schottky能垒,43.7 Ω的接触电阻。这项工作说明制备取向纳米线的前景。
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Yang, Q., Wang, YP., Shi, XL. et al. Constrained patterning of orientated metal chalcogenide nanowdires and their growth mechanism. Nat Commun 15, 6074 (2024).
DOI: 10.1038/s41467-024-50525-4
https://www.nature.com/articles/s41467-024-50525-4