通过调节卤化物钙钛矿/二维半导体vdW异质结能够发展创新的柔性光电器件和光子器件。但是,如何生长高质量单晶卤化物钙钛矿/2D半导体异质结并且获得优异光学性质仍具有非常大的困难和挑战。
有鉴于此,湖南大学段曦东教授等报道合成特定晶面单晶卤化物钙钛矿/2D半导体异质结的通用方法,合成的异质结材料能够通过选择耦合层材料的性质,实现对异质结结构的调节和设计。
由于能够降低能量的紊乱,因此构筑的CsPbI2Br/WSe2异质结具有超高的光吸收系数,而且降低产生增益的阈值,具有更高的增益寿命。卤化物钙钛矿/2D半导体异质结激光器在单模激光模式具有非常好的重复性,而且显著降低激光阈值,改善稳定性。
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这项研究为发展高质量的光电器件和光子物理学器件提供帮助,能够用于发展芯片激光器、纳米光子学器件、电子-光子集成的体系。
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Zhang, L., Wang, Y., Chu, A. et al. Facet-selective growth of halide perovskite/2D semiconductor van der Waals heterostructures for improved optical gain and lasing. Nat Commun 15, 5484 (2024).
DOI: 10.1038/s41467-024-49364-0
https://www.nature.com/articles/s41467-024-49364-0