通过调节卤化物钙钛矿/二维半导体vdW异质结能够发展创新的柔性光电器件和光子器件。但是，如何生长高质量单晶卤化物钙钛矿/2D半导体异质结并且获得优异光学性质仍具有非常大的困难和挑战。

有鉴于此，湖南大学段曦东教授等报道合成特定晶面单晶卤化物钙钛矿/2D半导体异质结的通用方法，合成的异质结材料能够通过选择耦合层材料的性质，实现对异质结结构的调节和设计。

本文要点

(1)

这种通用的合成vdW异质结策略能够用于全无机钙钛矿或者有机-无机杂化钙钛矿，包括过渡金属硫化物或者2D异质结。

由于能够降低能量的紊乱，因此构筑的CsPbI₂Br/WSe₂异质结具有超高的光吸收系数，而且降低产生增益的阈值，具有更高的增益寿命。卤化物钙钛矿/2D半导体异质结激光器在单模激光模式具有非常好的重复性，而且显著降低激光阈值，改善稳定性。

(2)

这项研究为发展高质量的光电器件和光子物理学器件提供帮助，能够用于发展芯片激光器、纳米光子学器件、电子-光子集成的体系。

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Zhang, L., Wang, Y., Chu, A. et al. Facet-selective growth of halide perovskite/2D semiconductor van der Waals heterostructures for improved optical gain and lasing. Nat Commun 15, 5484 (2024).

DOI: 10.1038/s41467-024-49364-0

https://www.nature.com/articles/s41467-024-49364-0