Sb₂S₃被应用于光电化学的光吸收材料，但是Sb₂S₃具有p型性质，从而与基底形成Schottky异质结，阻碍了光生空穴的收集。

有鉴于此，中国科学院理化技术研究所吴骊珠院士等首次在Sb₂S₃底部修饰薄层Cu_xS，通过Cu_xS具有的优异电学性能和光学性质，Cu_xS层的功函高达4.90 eV。因此与p型Sb₂S₃之间接触时，能带向上偏移，并且构成欧姆接触的透明空穴传输层。

主要内容

（1）

超薄的透明Cu_xS层能够保证Sb₂S₃/Cu_xS能够背照射，从而有助于与本征催化剂层结合，构筑光电化学催化反应器件。通过修饰Pt纳米粒子，在0 V过电势的光电流密度达到-5.38 mA cm^-2，性能显著的比没有加入Cu_xS时显著提高。

（2）

通过引入分子复合的TC-CoPc@炭黑，0 V的光电流还原CO₂密度提高至-0.44 mA cm^-2，比没有加入CuxS的光电流更高（-0.03 mA cm^-2）。

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Shuai Zhou, Li-Jun Zhang, Jian Li, Chen-Ho Tung, Li-Zhu Wu, Engineering Ultrathin CuxS Layer on Planar Sb₂S₃ Photocathode to Enhance Photoelectrochemical Transformation, Angew. Chem. Int. Ed. 2024

DOI: 10.1002/anie.202407836

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/anie.202407836