当传统电介质面临接近击穿极限的泄漏问题时，探索具有大电容耦合的新型电介质是现代电子中的一个重要课题。近日，为了应对这一挑战，南京大学袁洪涛、杨玉荣、斯坦福大学崔屹院士、南方科技大学薛其坤院士报道了稀土金属氟化物具有超过20 μF cm⁻²的电容耦合，并且其与器件制造工艺具有良好的兼容性。

本文要点：

1)与传统电介质相比，氟化物门控逻辑反相器具有更高的静态电压增益值（超过~167）。此外，氟化物门控的应用使NAND、NOR、AND和OR逻辑电路能够以低静态能耗进行工作。

2) 此外，Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ的超导体-绝缘体转变也可以通过氟化物门控实现。该发现强调了氟化物电介质是电子应用和调整凝聚态中电子态的有效平台。

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Kui Meng et.al Superionic fluoride gate dielectrics with low diffusion barrier for two-dimensional electronics Nature Nanotechnology 2024

DOI: 10.1038/s41565-024-01675-5

https://doi.org/10.1038/s41565-024-01675-5