由于缺乏有效的性能增强策略和掺杂/合金化剂，n型SnSe热电的发展受到了严重阻碍。在此，首尔大学In Chung、韩国化学技术研究所Jino Im通过同时掺入Pb和Cd，在Pnma和Cmcm SnSe相中实现导带电子和声子结构的同时设计。

本文要点：

1) 作者发现，它们通过会聚带的最小值和增加有效质量（m₀）来增强两相中导带边缘附近的态密度，从而增强塞贝克系数（S），并不损害导电性。由于仅二价Pb和Cd阳离子减少了Sn空位，尽管m₀和|S|增加，但载流子迁移率略有下降。

2) 晶格中的四面体Cd和Pb显著调节散射声子输运性质，从而显著降低热导率。因此，提高的功率因数和降低的热导率在873K下实现了极高的热电（TE）品质因数ZT，约为2.23。

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Sejin Byun et.al Simultaneously engineering electronic and phonon band structures for high-performance n-type polycrystalline SnSe Joule 2024

DOI: 10.1016/j.joule.2024.02.013

https://doi.org/10.1016/j.joule.2024.02.013