芳基硅烷化合物具有丰富的反应活性和适应性，是非常重要的合成子。具有非常优异的官能团兼容性，而且方便获得。虽然具有应用前景，但是三烷基硅基芳烃的C-Si化学键极性非常低，同时烷基取代基导致较高的立体位阻效应，导致难以通过过渡金属催化进行交叉偶联反应。这些问题导致烷基芳基硅烷对过渡金属在转金属和氧化加成等步骤中表现惰性。

有鉴于此，西湖大学石航等报道Rh催化通过π配位驱动脱硅基策略将烷基硅基芳烃与亲电试剂加成。

主要内容

（1）

该反应通过Rh的二价阳离子催化剂活化C-Si化学键，因为生成η⁶-芳基配合物增加C-Si化学键极性，实现以异裂方式活化C-Si化学键。

（2）

通过亲电试剂反应生成芳基阳离子，从而有效的生成C-C化学键。理论计算结果显示该反应能够与氟进行逐步反应从而脱硅基，该过程包括氟与芳基加成、氟原子1,2-转移，从而消除氟三甲基硅烷。

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Yunzhi Lin and Hang Shi*,Rhodium-Catalyzed Addition of (Trialkylsilyl)arenes to Electrophiles via π-Coordination-Driven C–Si Bond Activation, J. Am. Chem. Soc. 2023

DOI: 10.1021/jacs.3c08603

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c08603