材料表面包含结构和化学不连续性，这些不连续性通常会导致所谓的死层中感兴趣的特性的损失。这在纳米级氧化物电子器件中尤其成问题，其中强相关材料集成到器件中受到其功能出现所需的厚度阈值的阻碍。

在这里，苏黎世联邦理工学院Morgan Trassin，Elzbieta Gradauskaite报道了通过设计人工熔丝闭合结构来稳定氧化物异质结构中的超薄面外铁电性。

文章要点

1）插入面内极化铁电外延缓冲器可提供界面处极化的连续性；尽管具有绝缘性质，研究人员还是在铁电 BaTiO₃ 的面外极化模型中从第一个晶胞中观察到了极化的出现。

2）在 BiFeO₃ 中，熔断闭合方法可稳定 251 ° 磁畴壁。其不寻常的手性可能与 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用的铁电类似物有关。因此，研究人员看到，在自适应设计的几何结构中，绝缘体的去极化场屏蔽特性甚至可以超越金属，并成为功能的来源。

这可能是通往下一代氧化物电子产品道路上的有用见解。

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Gradauskaite, E., Meier, Q.N., Gray, N. et al. Defeating depolarizing fields with artificial flux closure in ultrathin ferroelectrics. Nat. Mater. (2023).

DOI：10.1038/s41563-023-01674-2

https://doi.org/10.1038/s41563-023-01674-2