二维（2D）半导体，例如过渡金属二硫属化物，为超硅探索提供了机会。然而，2D 半导体从实验室到晶圆厂的转变仍处于初级阶段，满足稳定性和可重复性的制造标准一直具有挑战性。因此，人们自然渴望生长具有工业上可接受的规模-成本-性能指标的晶圆级、高质量薄膜。

在这里，复旦大学Peng Zhou，Wenzhong Bao，深圳六碳科技有限公司Zihan Xu报道了一种改进的化学气相沉积合成方法，其中预沉积非晶态 Al2O3 的前驱体和基材的受控释放确保了大至 12 英寸的单层 MoS2 的均匀合成，同时还能够实现快速、无毒的生长以降低制造成本。

文章要点

1）晶体管阵列的制造进一步证实了薄膜的高质量及其集成电路应用潜力。

2）这项工作实现了规模-成本-性能指标的协同优化，并为推进二维半导体在行业标准中试线中的集成奠定了基础。

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Xia, Y., Chen, X., Wei, J. et al. 12-inch growth of uniform MoS2 monolayer for integrated circuit manufacture. Nat. Mater. (2023).

DOI：10.1038/s41563-023-01671-5

https://doi.org/10.1038/s41563-023-01671-5