精准紫外线检测是现代光电技术的重要组成部分。目前的紫外线光电探测器主要基于宽带隙半导体（WBS），如III–V半导体。然而，传统的WBS受到低集成度和灵活性的瓶颈限制。近日，复旦大学Fang Xiaosheng发现，低维WBS具有合适的紫外线吸收、可调谐的性能和良好的兼容性，在多样化的紫外线应用中极具潜力。
本文要点：
1) 基于低维WBS的紫外线光电探测器在成像、通信、多光谱和弱光检测以及柔性和可穿戴电子领域具有广阔的应用前景。作者综述了基于低维WBS的紫外线光电探测器领域的进展、面临的挑战和未来展望。
2) 作者研究了WBS的材料设计、维度工程和器件工程如何控制其形态结构和特性，并阐明了材料生长、器件结构和应用场景之间的相互作用。
Ziqing Li et.al Low-dimensional wide-bandgap semiconductors for UV photodetectors Nature Reviews Materials 2023
DOI: 10.1038/s41578-023-00583-9
https://doi.org/10.1038/s41578-023-00583-9
