过渡金属二硫族化合物薄膜具有丰富的相和超结构，这可以通过生长条件和生长后退火处理来进行控制。清华大学周树云和北京航空航天大学司晨使用分子束外延选择性生长方法，制备了具有各类不同相及超结构的单层TaTe₂膜。

本文要点

（1）通过改变生长温度，可以选择性地控制单层1H-TaTe₂和1T-TaTe ₂薄膜，而通过结合角分辨光电发射光谱测量和第一性原理计算，研究也揭示了它们具有不同的电子结构。

（2）此外，生长后退火处理可进一步导致1H-TaTe₂膜转变为新的2×2超结构，其中在电子结构中可观察到两个能带间隙。第一性原理计算揭示了声子不稳定性在超结构中的作用以及局部原子畸变对改造电子结构的影响。

（3）该工作证明了通过控制生长动力学和生长后退火处理可操纵单层TaTe₂膜的富相和超结构。

Runfa Feng, et al. Selective Control of Phases and Electronic Structures of Monolayer TaTe2. Advanced Materials. 2023

DOI：10.1002/adma.202302297

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202302297