二维一硫化锡（SnS）是发展具有各向异性特性的电子和光电子器件的理想材料。然而，具有原子厚度和高质量形状控制的SnS合成仍然具有挑战性。湖南大学Gonglan Ye和武汉理工大学吴也研究发现，可以通过高压（0.5GPa）和热处理（400°C）生产高度结晶的SnS纳米带。

本文要点

（1）这些SnS纳米带的长度为几十微米，厚度低至5.8纳米，平均纵横比为～30.6。通过透射电子显微镜和偏振拉曼光谱分别鉴定了SnS纳米带沿Z字形方向的晶体取向和面内结构各向异性。

（2）使用SnS纳米带制造的离子液体门控场效应晶体管显示出>103的开/关电流比和-0.7 cm2 V^–1 s^–1的场效应迁移率。这项工作为实现SnS的一维生长提供了一种独特的方法。

Xinyu Zhang, et al. High-Pressure Synthesis of Single-Crystalline SnS Nanoribbons. Nano Letters. 2023

DOI：10.1021/acs.nanolett.3c01879

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c01879