硅异质结（SHJ）太阳能电池是未来光伏产业的有效方向之一。稀有铟的有限供应和银浆的高成本是SHJ太阳能电池面临的重要问题之一。为了克服铟基透明电极用于高效SHJ太阳能电池的障碍，南开大学Zhang Xiaodan、苏州迈为科技股份有限公司Dong Gangqiang在室温下通过溅射制备了廉价且可批量生产的未掺杂氧化锡（SnO_x）电极材料。

本文要点：

1) 利用其天然氧空位缺陷，作者制备材料的载流子迁移率和电阻率达到22 cm² V⁻¹ s⁻¹和2.38 × 10⁻³ Ω cm。采用未掺杂SnO_x正面透明电极的SHJ太阳能电池具有24.91%的转换效率。

2) 此外，SnO_x薄膜具有优异的化学稳定性，可以在电镀过程中承受酸碱溶液的腐蚀。最后，作者制备了镀铜电极和双面铟基透明电极减半的SHJ太阳能电池，其认证效率为25.94%（总面积为274.4 cm²）。

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Cao Yu et.al Silicon solar cell with undoped tin oxide transparent electrode Nature Energy 2023

DOI: 10.1038/s41560-023-01331-7

https://doi.org/10.1038/s41560-023-01331-7