EES:用于n型PbSe超高平均热电品质因数的工程原子级晶格和电子能带结构
NavyLIu NavyLIu 2023-08-02

image.png热电(TE)设备可以将废热直接回收为电能,而不会产生额外的化学物质和机械振动。近日,首尔大学In Chung、西安交通大学Shi Zhongqi、西北工业大学Zhou Chongjian稳定了多尺度缺陷结构,包括间隙Cu、从规则晶格点位移的PbSe原子、由稀缺阴离子空位驱动的位错,以及由新成分CuxPbSe0.8Te0.20.95x=0−0.0057)热力学驱动的纳米级镶嵌。

本文要点:

1) 为了直接观察它们的原子分辨率结构,作者利用球面像差校正扫描透射电子显微镜和原子探针层析成像,揭示了它们的形成机制,有助于了解它们如何影响体传输特性。它们决定了热电品质因数ZT的物理量。载流子浓度随着温度的升高而提高电导率,同时具有可忽略的损害载流子迁移率。作者发现,导带中电子的有效质量显著增加,并且高于理论预测,还给出了相应的塞贝克系数。

2) 因此,最佳成分在300823 K范围内实现了24μW cm−1 K−2的高平均功率因数,在723 K时晶格热导率显著降低,约为0.2 W m−1 K–1。在300 KZT~0.55,在400823 K范围内平均ZT~1.30

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Bangzhi Ge et.al Engineering atomic-level crystal lattice and electronic band structure for extraordinarily high average thermoelectric figure of merit in n-type PbSe EES 2023

DOI: 10.1039/D3EE01226C

https://doi.org/10.1039/D3EE01226C


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