缺陷在限制纳米级器件的性能和可靠性方面起着关键作用。基于原子级薄二维（2D）半导体（如单层MoS₂）的场效应晶体管（FET）也不例外。因此，探测2D FET中的缺陷动力学具有重要意义。宾夕法尼亚州立大学Saptarshi Das全面了解了在不同栅极偏压和温度下在单层MoS₂ FET中观察到的各种缺陷动力学。

本文要点

（1）由于半导体沟道和单个缺陷之间的电荷转移，测量的源极到漏极电流呈现随机电报信号（RTS）。基于建模的温度和栅极偏压依赖性，氧空位或铝间隙可能是潜在的缺陷。

（2）在单层MoS₂ FET中观察到几种类型的RTS，包括异常RTS和巨RTS，表明存在着局部电流拥挤效应和丰富的缺陷动力学。因此，本研究成功探索了以ALD方式生长的、Al₂O₃为栅极电介质的大面积单层MoS₂中的缺陷动力学。

Harikrishnan Ravichandran, et al. Observation of Rich Defect Dynamics in Monolayer MoS2. ACS Nano. 2023

DOI：10.1021/acsnano.2c12900

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.2c12900