范德华（vdW）材料中的堆叠工程是量子器件应用中控制拓扑电子相的一种有效方法。vdW材料中的原子嵌入可以在原子尺度上调控堆叠结构，而无需高度技术化的策略。在这里，重庆大学唐文新、Li Meng、墨尔本大学Jefferson Zhe Liu、东京大学Ryota Akiyama通过使用原位像差校正的低能电子显微镜和理论建模，在SiC（0001）上的拓扑结构石墨烯/缓冲系统中嵌入锂驱动与堆叠顺序变化相关的动态拓扑畴壁（TDW）运动。

本文要点：

1) 作者发现，顺序和选择性的锂嵌入从拓扑交叉点开始（AA堆叠），然后选择性地延伸到AB堆叠域。锂嵌入能将畴堆叠顺序改变为AA，进而改变相邻的TDW堆叠顺序，并且驱动整个拓扑结构网络的演化。

2) 该工作揭示了受堆叠拓扑结构保护的移动TDW，并为通过原子嵌入控制堆叠结构奠定了基础。这些发现为实现插层驱动的vdW电子器件开辟了新途径。

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Yukihiro Endo et.al Dynamic topological domain walls driven by lithium intercalation in graphene Nature Nanotechnology 2023

DOI: 10.1038/s41565-023-01463-7

https://doi.org/10.1038/s41565-023-01463-7