富含锰的NASICON型材料在开发聚阴离子阴极方面受到了广泛关注，主要是由于其丰富的储量和在高工作电压下具有良好的循环性能。然而，其充电/放电曲线具有显著的电压滞后，进而导致其有限的可逆容量，从而阻止了它们的应用。在这里，中国科学院Hu Yongsheng、Zhao Junmei证明了富锰NASICON型阴极（Na₃MnTi（PO₄）₃）中的电压滞后与内在反位缺陷（IASD）密切相关。

本文要点：

1) 该缺陷在合成过程中形成，并且其在表征中被捕获。结合电化学分析和光谱技术，作者全面了解了循环过程中受IASD影响的缓慢Na⁺扩散行为，并探究了电压滞后、相分离和延迟电荷补偿的关系。

2) 此外，作者还开发了一种Mo掺杂策略来降低缺陷浓度，将初始库仑效率从76.2%提高到85.9%。该工作揭示了NASICON型阴极中的电压滞后，并为设计高性能聚阴离子电极提供了指导。

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Yuan Liu et.al Identifying the intrinsic anti-site defect in manganese-rich NASICON-type cathodes Nature Energy 2023

DOI: 10.1038/s41560-023-01301-z

https://doi.org/10.1038/s41560-023-01301-z