钙钛矿太阳能电池（PSC）的界面对于电荷转移和器件稳定性非常重要，而埋入界面对钙钛矿薄膜生长的影响却很少受到关注。
在这里，陕西师范大学Wanchun Xiang，中国科学院化学研究所Yuan Lin，Yanyan Fang使用分子改性剂甘蓝胺（GDA）在 SnO2/钙钛矿的埋入界面上构建分子桥，从而产生优异的界面接触。
文章要点
1）这是通过 GDA 和 SnO2 之间的强烈相互作用实现的，这也明显调节了能级。此外，GDA可以调节钙钛矿晶体的生长，产生晶粒尺寸增大且无针孔的钙钛矿薄膜，缺陷密度显着降低。
2）因此，经过 GDA 修改的 PSC 表现出开路电压（接近 1.2 V）和填充因子的显着改善，从而使功率转换效率从 22.60% 提高到 24.70%。此外，GDA 器件在最大功率点和 85°C 热量下的稳定性均优于控制器件。
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Haodan Guo, et al, Molecular Bridge on Buried Interface for Efficient and Stable Perovskite Solar Cells, Angew. Chem. Int. Ed. 2023, e202304568
DOI: 10.1002/anie.202304568
https://doi.org/10.1002/anie.202304568
