二维材料具有奇异电子结构，其中相邻层之间的耦合或堆叠方式显著影响电子结构。

有鉴于此，北京大学黄富强、吉林大学刘冰冰、李全军等报道TaS₂通过弱vdW成键和一定的扭转角重新堆叠，研究调控层间应力对电子结构的影响。

主要内容

（1）

通过施加压力，发现电子结构从金属态转变为半导体态。在较宽的应力区间发现半导体电子态伴随着超导态，这种现象在以往的二维TMD材料中未曾发现。当进一步施加应力，发现未曾发生结构转变的同时就能够产生半导体SC-II态，并且逐步替换了起始SC-I态。出现的SC-II态具有0电阻的超导性质，而且具有超高的上临界场。

（2）

RS-TaS₂具有丰富的电子结构，这与应力导致层间堆叠角度变化导致能带结构变化的现象有关。这项研究结果展示了层间结构重排现象对电子结构的显著影响，有助于发展和研究2D材料的独特性质。

参考电竞投注官网

Qing Dong, Jie Pan, Shujia Li, Chenyi Li, Tao Lin, Bo Liu, Ran Liu, Quanjun Li*, Fuqiang Huang*, and Bingbing Liu*, Abnormal Metal–Semiconductor-Like Transition and Exceptional Enhanced Superconducting State in Pressurized Restacked TaS₂, J. Am. Chem. Soc. 2023

DOI: 10.1021/jacs.3c03560

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c03560