混合半导体-超导体纳米线为研究栅极可调谐超导性和拓扑行为的出现提供了广泛的平台。它们的低维性和晶体结构的灵活性促进了独特的异质结构生长和高效的材料优化，这是精确构建复杂多组分量子材料的关键先决条件。

在这里，哥本哈根大学Sabbir A. Khan，Peter Krogstrup，加泰罗尼亚纳米科学和纳米技术研究所Sara Martí-Sánchez，Jordi Arbiol对InSb、InAsSb和InAs纳米线上的Sn生长进行了广泛的研究，并展示了纳米线的晶体结构如何驱动半金属α-Sn或超导β-Sn的形成。

文章要点

1）对于InAs纳米线，观察到相态超导β-Sn壳层。然而，对于InSb和InAsSb纳米线，最初的外延α-Sn相演变为共存的α和β相的多晶壳，其中β/ α体积比随着Sn壳厚度的增加而增加。

2）这些纳米线是否具有超导性主要取决于β-Sn的含量。因此，这项工作为各种半导体上的锡相提供了关键的见解，并对适合生成拓扑系统的超导杂化的产量产生了影响。

参考电竞投注官网

Sabbir A. Khan, et al, Epitaxially Driven Phase Selectivity of Sn in Hybrid Quantum Nanowires, ACS Nano, 2023

DOI: 10.1021/acsnano.3c02733

https://doi.org/10.1021/acsnano.3c02733