目前，大多数3D集成方法都使用Si上的外延生长、通过晶片键合的层转移或管芯到管芯封装。瑞典隆德大学Johannes Svensson介绍了使用Si₃N₄模板辅助选择区域金属-有机气相外延（MOVPE）在W上低温集成InAs的方法。

本文要点

（1）研究显示，即便是在多晶W上生长成核，仍然可以获得高产量的单晶InAs纳米线。

（2）归因于晶界散射增加而，所得的纳米线可表现出高达690cm²/（Vs）的迁移率。

Johannes Svensson, et al. Three-Dimensional Integration of InAs Nanowires by Template-Assisted Selective Epitaxy on Tungsten. Nano  Letters. 2023

DOI：10.1021/acs.nanolett.2c04908

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.2c04908