对于染料敏化太阳能电池、光电化学电池、p型电池，控制电荷分离和复合是关键，其中电荷的复合将显著阻碍器件的光伏性能。作者推测染料分子和p型半导体表面之间的电子跃迁能够很好的在空间上分离电子和空穴，并且延迟载流子复合。因此设计有助于电子跃迁的器件结构提升电池性能。

有鉴于此，乌普萨拉大学Leif Hammarström、Haining Nian、南特大学Fabrice Odobel等报道通过引入第二种染料的方法监控空穴注入半导体后，器件内的电子跃迁行为，能够间接的验证电子跃迁行为。

主要内容

（1）

在苝酰亚胺（PMI）或萘二亚胺（NDI）染料敏化的多孔NiO薄膜，发现染料激发从PMI*（τ < 200 fs）或NDI*（τ = 1.2 ps）产生超快速的空穴注入NiO。共敏化NiO薄膜的表面PMI^-向NDI的电子转移非常快速（τ = 24 ps）。随后分子与NiO之间的电荷复合比较缓慢（ps-μs），比NDI直接激发受到PMI^-电子转移的电子转移速率更慢。

（2）

作者认为PMI向NDI电荷跃迁后，电荷复合速率减慢，实验结果很好的验证这个论点，展示了染料敏化NiO光电极体系的载流子动力学。

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Chen Ye, Haoliang Cheng, Sina Wrede, Stéphane Diring, Haining Tian*, Fabrice Odobel*, and Leif Hammarström*, Charge Recombination Deceleration by Lateral Transfer of Electrons in Dye-Sensitized NiO Photocathode, J. Am. Chem. Soc. 2023

DOI: 10.1021/jacs.3c00269

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c00269