拓扑保护的磁性纹理在未来存储设备中信息载体方面具有极大前景，因为它们可以使用电流感应的自旋力矩以非常高的速度有效地推进。这些磁性有序的纳米级漩涡包括skyrmions、half-skyrmions（merons）及其反粒子。反铁磁体已被证明是这些纹理的宿主，由于不存在杂散场，这些纹理在太赫兹动力学、无偏转运动和改进尺寸缩放方面具有很高的潜力。鉴于此，来自诺丁汉大学物理与天文学院的O. J. Amin等人展示了拓扑自旋纹理，即merons和antimerons，可以在室温下产生。

文章要点：

1) 该研究中产生的这些拓扑自选纹理，可以使用薄膜CuMnAs中的电脉冲可逆移动，其中CuMnAs是一种半金属反铁磁体，是自旋电子应用的试验台系统；

2) 此外，merons和antimerons位于180°畴壁上，并沿电流脉冲的方向移动，反铁磁性merons的产生和操作是实现反铁磁性薄膜作为高密度、高速磁存储器件中的有源元件的全部潜力的关键一步。

参考资料：

Amin, O.J., Poole, S.F., Reimers, S. et al. Antiferromagnetic half-skyrmions electrically generated and controlled at room temperature. Nat. Nanotechnol. (2023).

10.1038/s41565-023-01386-3

https://doi.org/10.1038/s41565-023-01386-3