信息处理设备是现代电子产品的核心部件。将它们集成到纺织品中是电子纺织品形成闭环功能系统不可或缺的需求。具有交叉式配置的忆阻器被认为是设计与纺织品无缝结合的编织信息处理设备的很有前途的构建块。然而，在丝状开关过程中，由于导电丝的随机生长，忆阻器总是遭受严重的时间和空间变化。

在此，受跨越突触膜的离子纳米通道的启发，复旦大学彭慧胜教授，陈培宁副研究员，Lin Chen报道了一种高可靠性的纺织型忆阻器。

文章要点

1）纺织型忆阻器由具有定向纳米通道的铂/铜锌记忆光纤制成，在超低的设定电压(~0.089 V)、高的通断比(~10~6)和低功耗(0.1nW)下，具有很小的设定电压变化(<5.6%)。

2）实验研究表明，具有丰富的活性S缺陷的纳米通道可以锚定银离子并限制其迁移，形成有序而高效的导电丝。这种记忆性能使所得到的纺织型记忆阻器阵列具有高的器件到器件的一致性，并处理复杂的生理数据，如脑波信号，具有高识别精度(95%)。

3）纺织型忆阻器阵列在机械上经久耐用，可承受数百次弯曲和滑动变形，并与传感、供电和显示纺织品/纤维无缝结合，形成用于新一代人机交互的全纺织品集成电子系统。

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Yue Liu, et al, Highly reliable textile-type memristor by designing aligned nanochannels, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202301321

https://doi.org/10.1002/adma.202301321