在疏水性2D半导体沟道材料（例如MoS₂）上沉积高度均匀的晶片级亲水性MXene膜（例如Ti₃C₂T_x）是具有挑战性的。阿卜杜拉国王科技大学Husam N. Alshareef展示了一种改进的液滴铸造（MDC）工艺，可在没有任何预处理的情况下在MoS₂上沉积高质量MXene。

本文要点

（1）与通常在微米尺度上形成粗糙和厚膜的传统滴注方法不同，该MDC方法可以基于MXene引入的MoS₂表面极化现象形成超薄Ti₃C₂T_x膜（约10nm）。

（2）使用MDC工艺，研究制造了晶圆级n型Ti₃C₂T_x–MoS₂范德华异质结晶体管，实现了约40 cm²·V^–1·s^–1的平均有效电子迁移率，其开/关电流比超过10⁴，亚阈值摆动则低于200 mV·dec^–1。

Tianchao Guo, et al. Large-Area Metal–Semiconductor Heterojunctions Realized via MXene-Induced Two-Dimensional Surface Polarization. ACS Nano. 2023

DOI：10.1021/acsnano.2c12684

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.2c12684