当前最先进的原位TEM表征技术已经能够静态或动态纳米机器人操纵标本，提供丰富的原子级材料属性。然而，由于缺乏成熟的原位TEM制造技术和足够的外部耦合刺激，材料属性研究和器件级应用探索之间存在着难以逾越的障碍。这些限制严重阻碍了原位器件级TEM表征的发展。

在此，香港城市大学Lixin DONG，北京理工大学Jing ZHAO首次将超柔性微悬臂梁芯片与多物理耦合场（光场、机械场和电场）集成在一起，提出了具有代表性的原位光机电TEM表征平台。在此平台上，利用二维多层MoS₂纳米薄片作为通道材料，实现了静态和动态原位器件级TEM表征。

文章要点

1）在超高电子束加速电压(300kV)下证明了MoS₂晶体管中的电子束调制行为，这源于非弹性散射电子掺杂到MoS₂纳米薄片中。

2）此外，在没有/有激光照射的情况下，原位动态弯曲MoS₂纳米器件显示出基于机电效应的不对称压阻特性和基于光机电耦合效应的二次增强光电流，并伴随着实时监测原子级表征。

3）该方法向具有出色感知能力的先进原位器件级TEM表征技术迈出了一步，并激发了原位TEM表征与超灵敏力反馈、光传感等的进一步应用。

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Chaojian HOU, et al, In-situ Device-level TEM Characterization Based on Ultra-flexible Multilayer MoS₂ Micro-cantilever, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202301439

https://doi.org/10.1002/adma.202301439