范德华In₂Se₃因其室温2D铁电性/反铁电性而引起了人们的极大关注，其厚度可以精确到单层。然而，2D In₂Se₃的不稳定性和潜在的降解途径还没有得到充分的解决。

近日，香港理工大学Ye Zhu对室温下α-In₂Se₃和β'-In₂Se₃二维薄片的相稳定性进行了系统研究。

文章要点

1）研究人员结合使用光学和电子显微镜/光谱学，检测了In₂Se₃与空气的反应，形成非晶In₂Se_3-3xO_3x表面层，Se半球颗粒沉淀在顶部。原子力显微镜(AFM)进一步使我们能够识别Se颗粒的成核位点并定量测量它们的大小和体积以推导生长行为。

2）将这些表征技术应用于各种In₂Se₃表面，成功地阐明了表面配位的决定性作用，与四面体配位相比，八面体配位不太稳定并导致更多的Se粒子形成，这也已通过第一性原理计算得到巩固。此外，还对受控环境中的In₂Se₃相不稳定性进行了研究，以查明反应机制以及光照的影响。

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Shanru Yan, et al, Phase Instability in van der Waals In₂Se₃ Determined by Surface Coordination, Angew. Chem. Int. Ed. 2023, e202300302

DOI: 10.1002/anie.202300302

https://doi.org/10.1002/anie.202300302